最終更新日:2017/06/12

田口 博久   / TAGUCHI,Hirohisa [ 工学部電気電子工学科 ] 

教員情報

現在の職位 准教授
所属 工学部電気電子工学科
大学就任年月 2011/4
現職就任年月 2011/4

履歴情報

出身大学東京理科大学
修了等年月 2007/3
取得学位 ph.D. 量子効果デバイス理論 : 東京理科大学  2007/3

専攻分野

専攻分野 量子効果デバイス理論
長期的研究テーマ
(研究の将来計画・構想)
高電子移動度トランジスタ(HEMT)の環境温度に依存する特性変動
量子効果デバイスの一種であるHEMTは様々な材料系を用いて研究がなされている。材料系の変化は材料自身がもつ環境温度への応答性能の変動の回路化を検討している。これによって温度変動によるデバイス応答特性の変動を回路的に抑制することが考えられる。
短期的研究テーマ
(現在進行中の研究テーマ)
Cuデンドライト薄膜を用いた熱放射特性の検討
金属結晶形態の一種である樹状結晶形態をCuを用いて安定作製が可能となった。デンドライトの特徴である表面積増大効果によって熱放射特性の向上の確認まで行った。Cuデンドライト薄膜の強化構造とモジュール搭載を今後進める。

担当科目

学部における主な担当科目 複素数とベクトル解析、電磁気学、半導体工学、物性基礎
大学院における主な担当科目 量子力学セミナー、半導体デバイス特論

連絡手段

その他

研究室ホームページ http://taguchi-labo.sakura.ne.jp/index.html
(外部リンク)
所属学会 IEEE、応用物理学会、材料技術研究協会